《表2 3种布局方案不均流效果比较》
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《基于SiC MOSFET的多芯片并联功率模块不均流研究》
3种布局方案均流效果比较如表2所示。比较可知，无论是开通过程还是关断过程，方案B均流效果都是最好的。
| 图表编号 | XD0057236000 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.07.01 |
| 作者 | 马建林、王莉、阮立刚 |
| 绘制单位 | 南京航空航天大学自动化学院、南京航空航天大学自动化学院、南京航空航天大学自动化学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
