《表4 爆炸箔电爆性能参数》

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《基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性》

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从图5可知，随着电容放电电压的增加，回路峰值电流和EFI峰值电压均呈逐渐增加的趋势，同时峰值电流与峰值电压时刻点逐渐靠近。发现峰值电压均滞后于峰值电流，说明桥箔爆炸时间处于电流下降沿阶段，桥箔电爆能量不足，虽然作用在桥箔上的能量可有效利用，但是桥箔充分电爆的可靠性降低。结合表4，随着电容放电电压的增加，桥箔的爆发时间、峰值电压时间、峰值电流时间三者逐渐重合，但是回路的能量利用率却是先增加后减小，在0.85 kV时能量利用率达到最大值47.47%，这是因为桥箔的峰值电流时间和峰值电压时间均达到最大（见表4），延长了电热转换时间。但是0.85 kV对应的EFI峰值功率并未异常增大，故对飞片膨胀做功没有明显帮助，依然不利于BPN的飞片冲击点火（见表5）。结合图5a～图5b分析，当电容放电电压降低到一定程度时，回路电流将会相应减小，观察实验后的爆炸箔时发现桥箔电爆不完全，飞片有部分残留在桥箔上。同时结合MCT的最大耐压值1.40 kV，研究认为对于0.36μF陶瓷电容和MCT组成的CDU，在电爆铜桥电阻约35 mΩ、尺寸为0.3 mm（L）×0.3 mm（W）×4.6μm（H）的微型爆炸箔芯片时，CDU的最佳电容放电电压是1.20 kV。