《表6 界面上的原子布居分布》

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《β-Sn与4H-SiC界面性质的第一性原理计算》

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根据软件计算生成的数据统计，如表5、6所示。得到各原子轨道上的电子数和原子上的净电荷量，根据Mulliken电荷布居分析，Sn原子带电荷量为0.025，C原子带电荷量为-1.243，C封端界面Sn-C原子间形成的离子键非常弱，Sn-Si间不形成离子键，也证明C封端的作用力大于Si封端。表6中Sn-C间的键长小于Sn-Si间，也证明了C封端界面模型的分离功高于Si封端。根据重叠布居数可以看出，Sn-C间相互作用强于Sn-Si，也表明C封端的分离功强于Si封端。