《表1 不同SA尺寸下N/PMOS电参数》

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《LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用》

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本文采用PDK中1.1VRVT（Regular–VH，常规阈值）薄栅氧NMOS和PMOS器件，沟道宽长比为1μm/0.04μm，WPE参数left/Right/Top/Bottom的值为2μm，假设SB与SA的值一致，SA值有效范围为120nm至5μm，栅源电源为1.1V，从0V到1.1V直流扫描漏源电压，分别测试SA在0.2μm、0.5μm、1μm、2μm、3μm、4μm和5μm条件下的Idsa t和VTH.经过Spectre仿真，测试结果如表1所示.Idsat＿N和VTH＿N代表NMOS的漏极饱和电流和阈值电压；Idsat＿P和VTH＿P代表PMOS的漏极饱和电流和阈值电压，取绝对值后与NMOS的相应值比较.表1为不同SA尺寸下N/PMOS电参数.