《表1 不同活性物种的氧化还原电位》

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《N-Bi_2O_2CO_3/CdSe量子点光催化氧化NO及原位红外光谱研究》

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对N-BOC和N-BOC/CdSe QDs（1%）样品进行了发光光谱测试以表征其电子-空穴分离效率，结果如图7所示。从图中看出，二者的谱图形状几乎一致且均在350～500 nm范围内有较宽泛的吸收峰。此外，相比N-BOC，复合物的荧光强度明显降低，这说明仅有较少量的电子参与到辐射复合的过程中，意味着N-BOC电子-空穴的分离效率得到了提升。此外，由紫外光谱和X射线光电子价带谱可知N-BOC/CdSe QDs的禁带宽度以及价带位置分别为3.40和1.81 eV，从而得到导带位置为-1.59 eV。根据相关文献，相应的反应活性物种的氧化还原电位如表1所示，结合N-BOC/CdSe QDs的导价带位置，分析得知复合物光催化剂在热力学上满足反应所需条件，可生成超氧自由基或者直接将NO氧化[27-29]。