《表3 C还原SiO2的教学建议》

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《单质硅的化学制备课程资源评述》


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Ⅱ.生成物Si的层厚在最初的2小时线性生长机理占优势,反应为界面反应控制;超过临界值后,生成层以抛物线机理生长,反应为扩散控制。