《表3 C还原SiO2的教学建议》
Ⅱ.生成物Si的层厚在最初的2小时线性生长机理占优势,反应为界面反应控制;超过临界值后,生成层以抛物线机理生长,反应为扩散控制。
图表编号 | XD0034346800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.10 |
作者 | 夏晶、丁小婷、陈凯 |
绘制单位 | 南京晓庄学院环境科学学院、南京市第一中学、南京晓庄学院环境科学学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
Ⅱ.生成物Si的层厚在最初的2小时线性生长机理占优势,反应为界面反应控制;超过临界值后,生成层以抛物线机理生长,反应为扩散控制。
图表编号 | XD0034346800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.10 |
作者 | 夏晶、丁小婷、陈凯 |
绘制单位 | 南京晓庄学院环境科学学院、南京市第一中学、南京晓庄学院环境科学学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |