《表1 扩散涂层制备方法对矫顽力的影响》

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《钕铁硼晶界扩散研究进展》

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涂覆法工艺简单，无需专门的扩散源附着设备，工业化成本低。涂覆含Tb扩散源进行晶界扩散时，磁体矫顽力增加695.7～830.5 kA/m[19]。涂覆扩散源太少，磁体矫顽力提升效果不明显，涂覆太多则不仅会造成扩散源的浪费，而且会导致矫顽力提升幅度下降，因此控制扩散源涂覆量尤为重要[16-17]。与涂覆法相比，电泳沉积法不仅能通过控制沉积电压和时间来控制涂覆量，还能保证涂层厚度的一致性。采用电泳法涂覆TbF3后进行晶界扩散，磁体矫顽力增加705.0～756.0 kA/m[15-17]。采用磁控溅射制备涂层虽然工艺复杂、成本高，但扩散后矫顽力提升效果明显，矫顽力增量达到860.0～1 030.0 k A/m[13-14]。磁控溅射法制备涂层并进行晶界扩散时，磁体矫顽力提升效果最佳，如表1所示。