《表1 低维结构ZnO的暴露晶面与催化抗菌活性的相关结果》

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《低维氧化锌晶面调控及催化抗菌活性研究进展》

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Note:Testing methods—Inhibition zone study/disk diffusion test[13，53，57-58]；ATP bioluminescence assay[13]；colony count method[53，57-61]；DIZ refers to zone of inhibition study

基于上述制备原理与调控方法，近年来人们开创性地合成了形貌多样和暴露晶面可控的Zn O低维结构，并对其催化抗菌活性进行了研究。其中，不同暴露晶面的纤锌矿Zn O低维结构具有不同的物理化学性能，尤其是高活性晶面的高度暴露对材料的催化抗菌活性产生了较大的影响。Ramani等[53]制备了不同形貌的Zn O晶体，阐明了晶面依赖的Zn O晶体具有光催化抗菌活性的内在原因。由于Zn O晶体的Zn极性面（0001）比例与其表面缺陷浓度，尤其是氧空位（VO）浓度表现为正相关性，使得（0001）晶面的暴露增加了活性氧物种（ROS）的产生量，进而显著提高其光催化抗菌活性。同时也有研究表明[54]，不同暴露晶面的Zn O低维结构具有不同的光催化产生过氧化氢（H2O2）的能力，尤其是Zn O晶体的Zn极性面（0001）比例增加，使得其光催化活性显著增强。Zn O纳米片因有高比例的Zn极性面（0001）而具有相对较强的光催化活性。这些Zn O晶体的抗菌机理是:通过高活性晶面光催化产生ROS（如羟基自由基·OH、超氧阴离子自由基·O2-、1O2等），它们具有强氧化性，可与微生物的细胞结构和组成成分发生生化反应，从而导致其死亡，如图10所示[55-56]。表1列举了通过不同方法调控Zn O晶体的暴露晶面来提高其抗菌活性的相关报道。