《表1 各个材料的ID/IG值》

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《钴和氮修饰的多孔碳作为高效的析氢电催化剂的研究》

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图2（a）是经过T（800/900/1000°C）处理后的催化剂的XRD图，在26°处，不同催化剂所呈现出来的衍射峰与石墨烯的（002）晶面的衍射峰相一致[11]，在44.2°处所制备的催化剂所呈现的衍射峰与金属钴的（111）晶面的标准卡片是（JCPDS No.15-0806）相一致，表明材料中含有金属钴，结果与图1（f）TEM图像相对应，TEM和XRD测试结果说明材料中被碳层包裹的纳米粒子是金属钴纳米粒子。图（b）是不同催化剂所呈现的拉曼光谱图，其中在1349和1581cm-1处有两个峰，这两个峰分别对应的是石墨烯的D带和G带，D带主要来源于无序碳，G带主要来源于石墨烯的sp2杂化的碳原子。通常用ID/IG的比值来衡量材料的石墨化程度，从表1可以看出随着温度的增加，ID/IG的比值减小，这是因为温度增加可以增加材料的石墨化程度所导致的。图c是Co/N/GA-900的氮气吸附脱附曲线，从图中可以发现曲线有明显的滞后环，这表明Co/N/GA-900催化剂的吸脱附曲线是第四类型曲线[12]，说明Co/N/GA-900催化剂具有丰富的介孔结构，根据BET计算出Co/N/GA-900的比表面积为458m2/g，催化剂的比表面积越大，有利于暴露更多的的活性位点[13]，有利于催化活性的提高。图（d）是Co/N/GA-900的孔径分布图，进一步说明Co/N/GA-900催化剂具有介孔的结构，而且从图中看出孔径主要集中在5nm左右。