《表1 (Six-DLC/Siy-DLC) 20p/DLC沉积参数》

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《厚类金刚石碳基薄膜的制备及摩擦与腐蚀性能的表征》

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薄膜制备前，为避免基底表面粗糙度及缺陷对薄膜生长时产生影响，首先将基底进行机械抛光至表面粗糙度低于0.3μm，依次使用丙酮、无水乙醇超声清洗15 min，并用干燥氮气吹干，除去样品表面的油性杂质和氧化生成物。厚DLC薄膜制备工艺步骤如下:首先，将真空腔室抽真空至3×10-3 Pa，通入高纯氩气后，调节脉冲偏压至-5 kV，进行氩离子刻蚀清洗样品表面污染物20 min；其次，通入前驱气体SiH4和Ar，调节气压至10 Pa，脉冲偏压至15 kV，占空比为30%，沉积15 min制备Si过渡层，以改善薄膜与基底间的不匹配性，提高薄膜的粘着力，调节Ar与C2H2流量，保持SiH4流量不变，通过调控沉积时间，交替沉积制备Six-DLC层和Siy-DLC层，形成三种不同调制比的厚（Six-DLC/Siy-DLC）20p薄膜；最后，在相同实验参数条件下制备顶层未掺杂的DLC层。具体制备工艺参数见表1。