《表2 不同条件下CAM单元的延时对比结果》

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《基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计》

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由图7可以看出，当三值CAM内部存储数据与外部搜索数据相同时，ML为高电平；其余时候ML为低电平，因此所提出的三值CAM单元具有正确的逻辑功能。在不同温度和不同工作电压下，对三值CAM单元和三态CAM单元[7]的延时、功耗和PDP进行分析对比，结果分别如表2~4所示。