《表1 拟合Th0.8U0.2O2+y、Th O2、UO2及U3O8的Th和U L3边EXAFS实验数据得到的结构参数》

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《同步辐射XAFS技术研究Th_(1-x)U_xO_(2+y)的微观结构》

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为了进一步得到配位数和键长等局域结构参数，对Th0.8U0.2O2+y样品和Th O2、UO2、U3O8标样的Th或U L3边EXAFS实验进行了拟合。由于Th0.9U0.1O2+y和Th0.95U0.05O2+y的U L3边EXAFS数据信噪比差，没有对其进行EXAFS数据拟合，只是对Th0.8U0.2O2+y样品的EXAFS数据进行了拟合。对Th O2和UO2标样进行拟合时，考虑到Th-O和U-O都是8配位，Th-Th和U-U单重散射路径都是12重简并（相当于12配位），因此，对这些标样进行拟合时先将这些配位数固定下来。同理，对U3O8进行拟合时，也是先根据晶体结构判断U-O和U-U单重散射路径的种类和简并度，然后将U-O和U-U配位数设定为理想值。对Th0.8U0.2O2+y、Th O2的Th L3边EXAFS谱和Th0.8U0.2O2+y、UO2、U3O8的U L3边EXAFS谱进行数据拟合后得到的结果汇编在表1中，获得了配位数和键长等局域结构信息。