《表1 APD的结构参数》

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《用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿》

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InGaAs/InP基盖革模式APD结构采用光吸收、雪崩倍增层分离的、具有能带渐变层和电荷层（Separate Absorption，Grading，Charge and Multiplication，SAGCM）的结构[17]，外延层结构见表1.窄带隙的InGaAs吸收层（在295K时禁带宽度Eg约为0.75eV）与InP材料晶格匹配，可吸收1 550nm波长光子；同时采用宽带隙InP层（在295K时Eg约为1.35eV）作倍增层.电荷层调节InGaAs吸收层与InP倍增层的电场分布，使得吸收区内电场足够小，从而抑制由隧穿引起的暗载流子，同时保证倍增区内的电场足够高，维持碰撞电离实现雪崩倍增.InGaAsP过渡层缓和了InGaAs层和InP层突变异质结处价带势垒，减小原生空穴跨越异质结时的积累效应.