《表1 Cd Se量子点玻璃光学特性》
Note:the subscripts a,i,d,and p denote absorption,intrinsic emission,defect related emission and peak,respectively;λs is the Stokes shift;I is the integrated emission intensity;The average diameters(D)were estimated by Eq.(1).
图5为CdSe量子点的能带结构。上述荧光光谱的相关参数如表1所示。对荧光光谱进行分峰处理,本征荧光强度与缺陷荧光强度之比如表1所示。在低温热处理条件下,量子点表面缺陷较大,缺陷发光强于本征发光。随着热处理温度增高,本征发光越来越强,缺陷发光越来越弱,甚至淬灭。可见,随着热处理温度增高,量子点表面缺陷钝化,晶体结构完善。CdSe量子点直径可由下式进行计算[14]:
图表编号 | XD0022819500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.11.01 |
作者 | 许周速、程成 |
绘制单位 | 浙江工业大学光电子智能化技术研究所、浙江工业大学光电子智能化技术研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |