《表4 S-1与S-2样品制备的缓冲层Cd S与窗口层铝氧化锌 (AZO) 的电学参数Table 4 Electric parameters of the Cd S buffer layer and
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本实验制备的缓冲层Cd S及窗口层AZO的光电特性如表4所示。由R可以看出，S-1与S-2制备的缓冲层Cd S及窗口层AZO的电学参数差异不明显，均处于同一数量级。但S-2整体上的迁移率略高于S-1，电阻率低于S-1，这可能是S-2制备的CZTS薄膜太阳电池效率要高于S-1的原因之一。
| 图表编号 | XD0022815500 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.07.01 |
| 作者 | 徐信、蒋志、李志山、陆熠磊、王书荣 |
| 绘制单位 | 云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室、云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室、云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室、云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室、云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
