《表3 台阶处与非台阶处的SD CD Bias情况》

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《栅极坡度角对TFT器件制程的影响》

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当台阶坡度角偏大时，台阶处的SD膜层水平厚度m小于竖直厚度n，即SD膜层减薄。当SD膜层减薄之后，在同样的刻蚀条件下，台阶处的刻蚀程度会增加。对于同一个样品，经历的工艺制程相同，同一个样品的台阶与非台阶处的SD CD Bias差异反应出刻蚀程度的差异。如表3所示，在同一个样品前提下，台阶处的SD CD Bias始终大于非台阶处的数值，这表明台阶处的刻蚀程度更大，因同一个样品经历的刻蚀条件一样，可以反推出台阶处的SD膜层因坡度角而减薄了。