《表3 不同的设计方案的CTM结果》

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《晶体硅太阳电池背面套印图形设计对电池性能和组件性能的影响》

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组件串联电阻主要来自于以下4个方面：1）晶体硅的体电阻和发射区电阻；2）电极与硅表面层的接触电阻；3）电池内部和外部线路互相连接的引线接触电阻以及汇流条和互联条电阻等；4）电极接触用的金属本身及其互联电阻。唯一的变动是背面银铝的接触电阻。由于太阳电池是一个高电流的元器件，背面银铝接触电阻变大，在局部会造成额外的功率损耗，最终也将影响到整个组件的功率输出。根据背面套印图形对电池性能的影响，选择套印图形1、套印图形3、套印图形4进行批量生产（见表3），并进行组件验证。组件验证时使用相同的测试机台、制作工艺和物料。不同设计方案的组件的CTM值（cell to module）结果如表3所示。