《表1 不同CO*覆盖度下,CO*二聚反应在Cu(100)、Cu(111)和Cu(110)晶面上的吸附能ΔGad、活化能垒ΔEa和反应能ΔE[62]》

《表1 不同CO*覆盖度下,CO*二聚反应在Cu(100)、Cu(111)和Cu(110)晶面上的吸附能ΔGad、活化能垒ΔEa和反应能ΔE[62]》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《电催化二氧化碳还原合成二碳产物》


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碳-碳偶联反应本身对催化剂与CO之间的亲和性提出了很苛刻的要求,因为在亲和性这一参数上存在一对矛盾的因素:一方面,催化剂表面需要对CO有足够强的吸附能力,以保证CO在表面有足够高的覆盖度,进一步发生偶联;然而另一方面,偶联反应的活化能垒也随表面对CO吸附能力的增强而升高.这对矛盾的因素大大限制了可选的催化剂范围,在诸多金属中,Cu表面与CO的亲和性适中,因此目前绝大多数可催化CO偶联的催化剂都是Cu基催化剂(图S3)[4].幸运的是,Yeo课题组[62]发现,即使在同一种Cu催化剂表面,随着CO覆盖度的提高,CO二聚反应的活化能垒会降低.他们分别考察了单晶Cu(100)、(110)、(111)表面在不同CO覆盖度下,CO二聚反应的反应能垒和吸收的能量(表1).以Cu(100)面为例,当CO覆盖度从0.28单层(monolayer)吸附提升到0.56单层吸附时,活化能垒从1.43 e V显著降低至1.09 e V,反应吸收的能量也降低了(0.87 e V→0.71 e V);其他两个晶面的情况与之类似(但对应数值更高).他们将这种变化归因于高CO覆盖度下平均每个CO分子在表面的吸附能降低.同时,这些结果表明,CO二聚反应对晶面具有高度的敏感性,Cu(100)晶面上的活化能垒和吸能数值均是最低的.