《表2 空载反电动势谐波幅值对比》

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《改进型Halbach永磁阵列的设计与分析》

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图6中，改进型Halbach B和传统Halbach、改进型Halbach A阵列的反电动势有效值分别为147.77 V，146.27 V和145.94 V，相比传统型Halbach阵列，改进型Halbach B阵列的反电动势有了一定的提高，减小了电枢电流的在定子绕组上的损耗。表2为3种Halbach阵列的空载反电动势谐波幅值对比表。