《表3 单晶4H碳化硅性能参数》

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《单晶碳化硅的电磁场励磁大抛光模磁流变抛光》

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试样材料为单晶碳化硅（4H-Si C），其性能参数见表3。正晶向的单晶碳化硅，一面是硅面，另一面是碳面，实验前测得硅面粗糙度Ra为60 nm～100 nm，且表面缺陷较多。对硅面进行抛光试验，结束后，使用无水乙醇去除材料表面残留的抛光液，再用去离子水作清洗剂进行清洗，最后烘干试样，使用白光干涉仪（Zygo New View7100）对其进行表面粗糙度的测量，并计算试验前后粗糙度Ra1与Ra2的变化率?Ra，用于评估实验效果，计算方法如式（1）所示：