《表1 3种G-QLEDs的性能汇总表》

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《低启亮电压全溶液加工量子点发光器件》

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量子点电致发光的器件结构和能级结构如图1所示。为了进行对比，相同条件下制备了蒸镀Ag电极的器件。ZnO因其高的电子迁移率（2×10-3cm2·V-1·s-1）和与QDs层具有良好的能级匹配而被用作ETL。并且，ZnO层在热退火后具有良好的抗溶剂侵蚀性，这有利于制备全溶液加工的多层器件。共轭聚合物TFB由于其较高的空穴迁移率（1×10-2cm2·V-1·s-1）用于HTL，有助于载流子平衡和提高器件电致发光（Electroluminescent，EL）性能。为了研究采用不同加工工艺的阴极对量子点电致发光器件Vt的影响，制备了3种不同加工类型阴极的G-QLEDs。3种发光器件的电流密度（J）和亮度（L）随电压（V）变化的J-V-L特性曲线以及J与电流效率（ηCE）的J-ηCE特性曲线，如图1(c）和1(d）所示。其中，3种发光器件除阴极制备工艺不同外，其余各层制备方式相同。Device A阴极为sol-vac.Ag NPs，Device B阴极为sol.Ag NPs，Device C阴极为eva.Ag。从图中可以看出，Device B具有较差的EL性能，表现为较低的ηCE7.3cd·A-1和较高的Vt4.2 V。3种器件的性能数据总结在表1中。