《表1 Si C陶瓷的密度和热物理参数》

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《熔盐辅助合成Dy_3Si_2C_2包裹SiC粉体及其陶瓷的烧结行为》

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图4为不同比例的原料采用SPS烧结成Si C陶瓷过程中压头的位移曲线。用Si C原始粉体烧结成Si C陶瓷，由于加热过程中的热胀冷缩，压头向负方向位移；而用Dy-Si C复合粉体烧结成Si C陶瓷时，温度低于1400℃、压头未向负方向移动，温度高于1 4 0 0℃，压头未向正方向移动。这是由于使用Dy-Si C复合粉体作为烧结原料，Si C与Dy3Si2C2通过液相共晶转变生成了液相，产生流动并填充孔隙，使压头正向移动。当温度接近1700℃时，Si C原始粉烧结压头才开始出现正向位移。温度低于1700℃，稀土Dy添加比例越高，其压头位移就越大，且根据曲线斜率可以看出压头移动速率越高，这是由于添加Dy的比例越高，产生的液相量越多，液相不断逸出产生的结果。在降温情况下，用Si C原始粉体和Si C-Dy3Si2C2复合粉体进行烧结时，压头的位移曲线基本一致，这是由于液相几乎完全排除，主要是碳化硅的收缩过程。