《表2 实验结果统计：半导体工艺中二氧化硅的刻蚀速率研究》

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《半导体工艺中二氧化硅的刻蚀速率研究》

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刻蚀完毕后，再对剩余的Si O2薄膜厚度进行测量[7]。由两次测得的厚度差算出在一定时间内刻蚀掉的Si O2薄膜厚度，这样就能定量研究刻蚀速率和均匀性等参数。实验得到的具体数据如表2所示。