《表1 纳米硅的EIS拟合数据》
图5为纳米硅经过1次循环和50次循环后的电化学阻抗RSEI(electrochemical impedance spectroscopy,EIS),谱图主要由高频区、中频区、低频区三部分组成。即高频区半圆与形成的SEI膜有关,中频区半圆主要指嵌脱锂过程中的电荷转移阻抗(Rct),低频区的斜线指Li+扩散到活性材料主体中的Warburg阻抗Wo。内嵌图中的Rs表示电阻,与电极的电子电阻、电解质溶液的离子电阻及电池硬件引起的电阻有关[17]。纳米硅的EIS拟合数据如表1。由表1可知,RSEI有所增大,Rct明显减小,说明循环过程中电极材料表面没有形成新的、过厚的SEI膜,活性材料与周围并没有失去电连接。这有助于电荷转移,并且前面的循环有效并充分激活了电极,致使整体电阻减小。
图表编号 | XD00197728900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.03.01 |
作者 | 王珊珊、张公平、冒爱琴、郑翠红、方道来 |
绘制单位 | 安徽工业大学材料科学与工程学院、安徽工业大学材料科学与工程学院、安徽工业大学材料科学与工程学院、安徽工业大学材料科学与工程学院、安徽工业大学材料科学与工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |