《表1 不同耗尽层厚度的In Ga As/In P样品的直流参数》

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《InGaAs/InP台面型pin高速光电探测器》

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采用波长1310nm激光光源、电压源、电流表和LCR表等，对制备的3种样品的击穿电压、正向电压、暗电流、响应度和电容进行测试，其测试条件分别为无光照、暗电流为-10μA；无光照、正向电流为10m A；无光照、工作电压为-5V；入射光功率为1m W、λ=1310nm、工作电压为-5V；无光照、工作电压为-5V。测试结果如表1所示。当探测器耗尽层厚度从1.0μm增加到1.5μm时，响应度随着耗尽层厚度的增大而增大，从0.75A/W增加到0.9A/W，电容随着耗尽层厚度的增大而减小，从0.12p F减小到0.08p F，与理论计算结果一致。