《表2 不同结构的器件性能参数比较Tab.2 Comparison of performance parameters of the devices with different structures
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《势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真》
图10为优化注入的氢离子浓度和注入的氟离子浓度后的Al GaN/GaN HEMT器件的转移特性曲线、输出特性曲线和击穿特性曲线。其中注入的氟离子浓度为4.2×1018cm-3,注入的氢离子浓度为8×1018cm-3。
图表编号 | XD00188440700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.12.03 |
作者 | 杨鹏、杨琦、刘帅 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |