《表2 Push-Pull型p FLASH开关单元“开/关”特性参数统计表 (样品数:1 000) Tab.2 Statistics of the“on/off”state parameters of
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《Push-Pull型pFLASH开关单元结构设计及特性》
分别对“T1_PGM-T2_ERS”与“T1_ERS-T2_PGM”两种状态条件下的信号传输管T3进行“开/关”态特征化表征,具体特征曲线如图5所示,其基本参数如表2所示,表中,ID1,ID2表示T1/T2管的漏端电流。由表2分析可知,Push-Pull型p FLASH开关单元具有良好“开/关”态特性,当T1/T3管漏端电压VD1=VD3=-1.2 V或T2/T3管漏端电压VD2=VD3=-1.2 V时,其“开”态驱动电流(ID3)及非均一性约为0.92 m A,2.7%;当VD1=0 V,VD3=-1.2 V或VD2=0 V、VD3=-1.2 V时,其“关”态漏电流约40 p A。同时,也统计了“开/关”态条件下,Push-Pull通路上的2T-FLASH管中选择管漏端,均在0.1 p A量级以下,也进一步说明VD1和VD2的电位可以传输到信号传输管T3的栅上,实现对其“开/关”态控制,图5中,ID3-ON为T3管的开态电流,ID3-OFF为T3管的关态漏电流,VSG为源栅电压。
图表编号 | XD00188434400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.09.03 |
作者 | 刘国柱、洪根深、于宗光、赵文彬、曹利超、吴素贞、李燕妃、李冰 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所、东南大学电子科学与工程学院、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、东南大学电子科学与工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
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