《表1 MOVPE和MBE的主要工艺特点对比Tab.1 Main process features comparison between MOVPE and MBE》
在二十世纪八十年代,研究人员发现使用液相外延和氯化物气相外延很难制备高质量的Al Ga In P材料,这是由于Al具有较大的扩散系数等原因造成的[15]。1982年,H.Asahi等人[16]通过分子束外延(MBE)成功制备了Al Ga In P材料,之后生长了可视光波段(0.66~0.68μm)的双异质结激光器[17]。同年,T.Suzuki等人[18]通过金属有机气相外延(MOVPE)成功制备了Al Ga In P材料,并将其应用在Ga In P/Al Ga In P双异质结激光器(可视光波段670~680 nm)上[19],可在25和50℃条件下,稳定工作2 000 h以上,表现出优异的性能及可靠性。MOVPE相比于MBE,具有低成本、高产量的优点,适用于规模化生产,因此目前商用空间太阳电池的生产多采用MOVPE[20-21],表1为两者的主要工艺特点对比。
图表编号 | XD00188431500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.07.03 |
作者 | 张启明、张保国、孙强、方亮、王赫、杨盛华、张礼、罗超 |
绘制单位 | 河北工业大学电子信息工程学院、河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室、中国电子科技集团公司第十八研究所、河北工业大学电子信息工程学院、河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室、中国电子科技集团公司第十八研究所、中国电子科技集团公司第十八研究所、中国电子科技集团公司第十八研究所、河北工业大学电子信息工程学院、河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室、河北工业大学电子信息工程学院、河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室、河北工业大学电子信息工程学院、河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室 |
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