《表3 辐射试验离子参数Tab.3 Ions parameters of radiation test》
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《基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计》
单粒子辐射试验在中国科学院近代物理研究所进行,单粒子参数以及单粒子测试结果如表3和表4所示,其中粒子的能量值由近代物理所确定并给出。根据粒子入射角度与有效LET的关系,为使粒子达到规定的有效LET阈值,所有粒子的入射角度采用垂直入射[17]。
图表编号 | XD00188428100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.05.03 |
作者 | 张宇飞、余超、常永伟、单毅、董业民 |
绘制单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
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