《表1 A、B、C、D和E五组器件的具体参数》

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《940nm大功率半导体激光器后工艺优化》

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为了优化后工艺，本文利用相同结构的外延片共制备了5种不同样品，各样品间差异见表1。其中，A器件是普通的管芯，只有一个脊形结构，腔长为2mm；B器件相对于A器件引入了双沟结构，且双沟间距和深度分别为290和1.5μm，由于p侧接触层、限制层和波导层厚度分别为300、900和700nm，有源区距表面1.9μm，因此只腐蚀到波导层区域；C器件在B器件的基础上将腔长增至4mm；D器件减小了C器件双沟的间距，约为140μm；E器件则加深了双沟的深度，将D器件双沟深度加深至4μm，将上述外延层的各层厚相加得到外延层总厚度为3.672μm，即将E器件双沟结构腐蚀至衬底。