《表4 沉积物氧含量EGA测试数据》

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《PVT方法下AlN烧结工艺坩埚盖处氧杂质沉积行为研究》

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B1最先沉积于坩埚埚盖处。分析表4中数据可以看出:B1的氧杂质含量远大于A，印证了图5（b）中氧杂质峰强的明显提高。表明低温真空环境更有利于AlN表面杂质层中含水物相的挥发，促进AlN表面氢氧化层的分解，从而去除氧杂质，该结论与文献[9]的研究结果一致。涉及的化学反应为