《表2 变流器模块损耗对比》
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应用全Si C器件后,在同等电流输出能力的前提下,Si C变流器功率模块的开关频率可得到大幅度的提升。表2为Si C变流器模块和硅基IGBT变流器模块的损耗对比。以某线路190 k W电机车控平台额定电流工况和最大电流工况为例进行对比研究表明,在变流器模块总体损耗基本相当的前提下,Si C变流器模块的开关频率可提升至2 k Hz,而IGBT变流器模块的开关频率为500 Hz。同样,也可采用适当增加开关频率并提高变流器模块输出电流的策略,或者适当增加开关频率并简化散热设计,冷却方式由强迫风冷简化为自然冷却的策略。
图表编号 | XD00188160000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.09.10 |
作者 | 李华、万伟伟、唐雄辉、刘永江、林珍君 |
绘制单位 | 株洲中车时代电气股份有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司 |
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