《表1 宽窄带杂散和电流对比》
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在辐射环境下和非辐射环境下的宽窄带杂散和电流对比如表1所示。结果表明所设计芯片满足抗中子辐射要求。
| 图表编号 | XD00187974100 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2020.09.20 |
| 作者 | 王佳琪、张涛、任凤霞、王成皓 |
| 绘制单位 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
在辐射环境下和非辐射环境下的宽窄带杂散和电流对比如表1所示。结果表明所设计芯片满足抗中子辐射要求。
| 图表编号 | XD00187974100 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.09.20 |
| 作者 | 王佳琪、张涛、任凤霞、王成皓 |
| 绘制单位 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
