《表2 有交流干扰时, 不同位置试样在溶液中浸泡5d后的极化电阻Tab.2 In presence of AC interference, Rpof samples at different posi
Ω
由图7可见:浸泡时间为5d时,剥离缝隙内各点在不同交流干扰下的电化学阻抗谱均由单个高频容抗弧和单个低频容抗弧组成。除破损点处施加1V交流干扰后,其容抗弧半径小于施加10V交流干扰的;其他位置处,施加1V和5V交流干扰后,容抗弧半径均大于未施加和施加10V交流干扰的,这表明剥离缝隙内金属在交流干扰电压为1V和5V时,耐蚀性增强。由表2可见:施加1V和5V交流干扰时的极化电阻均大于未施加和施加10V交流干扰时的,此时腐蚀过程的阻力增大,剥离缝隙内金属的腐蚀速率减小。以上结论与极化曲线所得结论一致。
图表编号 | XD0018653800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.05.15 |
作者 | 丁清苗、王宇君、崔艳雨、方丽萍 |
绘制单位 | 中国民航大学机场学院、中国民航大学机场学院、中国民航大学机场学院、钦州学院广西高校北部湾石油天然气资源有效利用重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |