《表2 煅烧样品中AlN的平均晶粒尺寸与结晶度》
图4所示为前驱体分别在1 600,1 650,1 700,和1 750℃下煅烧10 h后的XRD谱,表2所列为煅烧样品中AlN的平均晶粒尺寸与结晶度。由图4可见,1 600℃的煅烧产物中AlN衍射峰最强,但仍有明显的Al2O3衍射峰,说明在此温度下绝大多数的Al2O3已转变成AlN,但还有一定残余量。1 650℃的煅烧产物只存在AlN衍射峰,无Al2O3衍射峰,Al2O3已经完全转化为AlN。当煅烧温度升至1 700和1 750℃时,煅烧产物的XRD谱与1 650℃时的基本一致。从表2可知,AlN的结晶度与平均晶粒尺寸均随煅烧温度升高逐渐增大,当煅烧温度过高(1 750℃)时,AlN结晶度及平均晶粒尺寸却有小幅下降,可能与AlN晶粒的再结晶细化有关。值得注意的是,由于前驱体中的碳源为无定形结构,因此,煅烧产物中即使还有残留的碳,在其XRD谱中也未显现碳的衍射峰。
图表编号 | XD0018406700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.12.01 |
作者 | 魏鑫、张浩、孙登琼、田晨光、刘翔宇、崔嵩、汤文明 |
绘制单位 | 合肥工业大学材料科学与工程学院、合肥圣达电子科技实业有限公司、合肥圣达电子科技实业有限公司、合肥圣达电子科技实业有限公司、合肥工业大学材料科学与工程学院、中国电子科技集团公司第43研究所、合肥工业大学材料科学与工程学院 |
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