《表3 自腐蚀电位下未预膜铸铁试样的EIS等效电路参数》
图9是经硅酸盐复配缓蚀剂和改性硅酸盐复配缓蚀剂预膜及未预膜的铸铁电极在腐蚀介质中的交流阻抗图(包括Nyquist图及拟合等效电路图),拟合数据如表3、表4所示。由图9可见,两种缓蚀剂阻抗谱图中呈现出两个时间常数容抗弧,未预膜铸铁和硅酸盐复配缓蚀剂预膜铸铁在低频区出现了由于溶液中的离子吸/脱附所引起的实部收缩现象。拟合等效电路图中,R1代表溶液电阻,CPE、CPE1和CPE2是常相位角元件,R0代表电荷转移电阻,R2和R3分别代表缓蚀保护膜内层和外层的电阻,R2+R3可近似看作电荷转移电阻。由拟合数据可知,硅酸盐复配缓蚀剂预膜电极电荷转移电阻约为429.9??cm2,相比未预膜电极电荷转移电阻稍大,证明其预膜缓蚀虽有一定的效果但不显著,改性硅酸盐复配缓蚀剂预膜电极电荷转移电阻约为951.4??cm2,提升至未预膜铸铁电荷转移电阻的3倍左右。这表明经过改性硅酸盐复配缓蚀剂预膜缓蚀后,电极的耐蚀性得到大幅度增强,其结果与极化曲线结果基本一致。
图表编号 | XD00183794100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.12.20 |
作者 | 颉薇、高峰、王智慧、王菊琳 |
绘制单位 | 故宫博物院、故宫博物院、北京化工大学材料电化学过程与技术北京市重点实验室、文物保护领域科技评价研究国家文物局重点科研基地、北京化工大学材料电化学过程与技术北京市重点实验室、文物保护领域科技评价研究国家文物局重点科研基地 |
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