《表1 不同离子掺杂下n型Cu2O薄膜的光电化学性能》

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《n型氧化亚铜薄膜的制备及其光电化学特性》

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在控制电解液pH为8.5，沉积温度为60℃的条件下。课题组向电解液中掺杂不同的离子（Li+，Cl-，Zn2+，Co2+）并调节掺杂量，得到了掺杂的Cu2O薄膜。这些掺杂的Cu2O薄膜的光电化学性能经过测试，结果如表1所示。不同浓度的离子掺杂均提高了Cu2O薄膜的光电化学性能，且当Cl-为40 mM条件下，Cu2O薄膜的光电化学性能最佳。加入不同浓度CuCl2沉积所得Cu2O薄膜如图7所示。