《表1 各流量控制方法的特点》

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《几种基于PLC的硅片清洗设备流量控制方法》

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笔者所在公司研发的65 nm高精细硅片清洗设备为8腔室设计，已在中芯国际产品生产线长期运行，关键参数控制稳定，产品良率达到98.626 8%，超出同类机台平均水平。图10为北京中芯国际硅片在该设备清洗前后表面颗粒图，在保证清洗性能的前提下，硅片表面颗粒污染物数量显著减少，有利于提高芯片的良率。