《表1 光电池输出值:光MOS继电器中的光电管设计》
仿真结果如图6~8及表1所示,随着硅岛浓度的增加,短路电流逐渐降低,光生电压逐渐上升,最大输出功率也逐渐增加,硅岛浓度低时光电流虽然大但光电压较小、功率不足,硅岛浓度高到1×1016以后光电流下降明显,功率增加不高,且考虑到会影响器件击穿及其他参数,因此需要兼顾选择合适的硅岛浓度。
图表编号 | XD0016617000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.10.20 |
作者 | 刘祥晟、张明、高向东 |
绘制单位 | 无锡中微晶园电子有限公司、无锡中微晶园电子有限公司、无锡中微晶园电子有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |