《表2 剥离强度试验数据》
采用该方法加工的铁氧体薄膜电路在经过键合强度、镀层附着力以及剥离强度测试后均无失效现象,测试数据见表1、表2。其中剥离强度试验中失效现象为引线从焊点部位拉开,并未出现微带线与基片分离的现象(见图3),可见实际剥离强度要大于表2中的测试数据。
图表编号 | XD0016616600 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2018.10.20 |
作者 | 刘玉根、孙林 |
绘制单位 | 中国电子科技集团第五十五研究所、中国电子科技集团第五十五研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
采用该方法加工的铁氧体薄膜电路在经过键合强度、镀层附着力以及剥离强度测试后均无失效现象,测试数据见表1、表2。其中剥离强度试验中失效现象为引线从焊点部位拉开,并未出现微带线与基片分离的现象(见图3),可见实际剥离强度要大于表2中的测试数据。
图表编号 | XD0016616600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.10.20 |
作者 | 刘玉根、孙林 |
绘制单位 | 中国电子科技集团第五十五研究所、中国电子科技集团第五十五研究所 |
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