《表1 不同N-drift掺杂剂量结果》

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《一种NMOS管体区漏电特性的研究》

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综上分析，并结合测试结果，找到了NMOS漏电的原因，是由于P-well/N-drfit结处电场过大，引起弱的电子空穴碰撞电离，导致漏极静态电流和体区电流增加。针对此原因，改进工艺将降低N-drift的浓度，改进方案将N-drift工艺中第二步注入剂量（8×1012 cm-2）降低，见表1。