《表1 PI薄膜的热失重测试结果》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《重复单元结构对聚酰亚胺薄膜力学和介电性能的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

图3为4种PI薄膜在氮气气氛中的热失重曲线，相关数据列于表1。通过对4种PI薄膜的热学性能两两对比可以发现，二胺单体结构的差异比二酐单体结构的差异对PI薄膜热稳定性的影响更明显。由二胺单体TFMB所制PI薄膜（PI-1与PI-3）的热分解温度（Td）明显高于二胺单体ODA所制PI薄膜（PT-2与PI-4）的Td。然而，由图3和表1可知，二胺单体TFMB所制PI薄膜在700℃时的残留率低于由二胺单体ODA所制PI薄膜。这可能是由于二胺TFMB所制PI与二胺ODA所制PI适用温度不同，在600℃以下，二胺单体TFMB所制PI较稳定，但温度继续升高，热崩塌逐渐显著，而二胺单体TFMB所制PI薄膜内部链间的间隙较大，薄膜密度较小，在受热的条件下，材料内部热扩散比较容易；而ODA单体所制的PI薄膜内部间隙相对较小，薄膜密度较大，在受热条件下，材料内部热扩散效果较差，受加热的影响较早，在热失重研究时所提供的热能主要用于热分解，因此在初始阶段热失重现象显著。在一定温度以上，两种不同二胺分子所制聚酰亚胺薄膜因为热量积累导致的热崩塌相继发生，最终表现出来的是两种不同二胺分子稳定性的差异[21]。