《表4 不同活性层的空穴迁移率(μh)和电子迁移率(μe)》
表4显示了活性层材料的结构对载流子迁移率的影响.表中前三组活性层体现了氟原子的引入对电荷迁移率的影响.对于YITI-n F小分子受体,YITI-2F的电荷迁移率明显高于YITI-0F和YITI-4F,并且YITI-2F的μh/μe比为1.51,小于YITI-0F(1.99)和YITI-4F(3.70),空穴和电子迁移率具有良好的平衡,电荷迁移率的提高和平衡使器件显示出更高的JSC(15.54 m A·cm-2).有些已报道的工作显示,给体分子的修饰对活性层的空穴迁移率影响较大,而对电子迁移率影响较小;经氟原子修饰的材料都具有相对更高的电荷迁移率.表中后两组活性层中PBDT-TPD和PBDTT-DPP分别以烷氧基和长烷基为侧链.由于侧链的影响,活性层具有较低的空穴迁移率.此外,材料主链结构单元的电子密度调控也能有效地改善载流子迁移率.根据基团的电子密度顺序:并噻吩>噻吩>苯基>烷氧基和烷基,引入并噻吩能够最有效地提高空穴迁移率,例如PBDT-ttTPD:PC71BM和PBDTT-ttTPD:PC71BM的空穴迁移率分别提高了约5倍,其中PBDTT-ttTPD:PC71BM的器件性能最优:JSC=11.05m A·cm-2,VOC=0.84 V,FF=73%,PCE=6.81%[89].
图表编号 | XD00161639800 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.05.15 |
作者 | 王文璇、王建邱、郑众、侯剑辉 |
绘制单位 | 中国科学院化学研究所、中国科学院大学、中国科学院化学研究所、中国科学院化学研究所、中国科学院化学研究所、中国科学院大学 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |