《表3 变压器箱壁屏蔽高度选取情况》
根据箱壁情况选取4个特征高度(表3)来探究该结构对漏磁通磁场强度的影响。由于篇幅所限,这里只列出特征高度1和4的仿真结果(图6)。4种箱壁屏蔽高度对应的漏磁通磁场强度分别为1.944 9、1.952 3、1.955 5、1.959 4(×10-3Wb/m)。可以看出,无论箱壁屏蔽高度如何变化,该结构的漏磁通磁场强度几乎不发生变化,因此将箱壁屏蔽高度确定为特征高度1,即与铁芯等高。
图表编号 | XD00159232400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.05.20 |
作者 | 陶国彬、王宏建、侯文硕、王天、李豪 |
绘制单位 | 东北石油大学电气信息工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |