《表1 半导电屏蔽材料熔融结晶参数》
对3种组分的半导电屏蔽材料进行差示扫描量热测试,探究了碳黑对聚合物基体结晶性的影响,结果如图4所示。复合材料在升、降温过程中分别出现了PP和POE各自的熔融峰和结晶峰(tm为熔融温度、tc为结晶温度,下标POE等对应于物质)。POE的熔融峰位于48℃附近,PP的熔融峰出现在168℃附近。表1给出了半导电复合基体各组分的tm、tc及对应热焓参数。Hm,POE为POE的熔融焓,Hm,PP为PP的熔融焓。
图表编号 | XD00154030200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.05.31 |
作者 | 孙博阳、陈哲、谢傲、张军、江平开、黄兴溢 |
绘制单位 | 上海交通大学上海市电气绝缘与热老化重点实验室、上海交通大学上海市电气绝缘与热老化重点实验室、上海交通大学上海市电气绝缘与热老化重点实验室、上海交通大学上海市电气绝缘与热老化重点实验室、上海交通大学上海市电气绝缘与热老化重点实验室、上海交通大学上海市电气绝缘与热老化重点实验室 |
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