《表3.1三种结构TFET开态电流和平均亚阈值摆幅对比》

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《高驱动电流的隧穿器件设计》

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图3左图展示了参数优化过后的N型与P型横向SiTFET，纵向Si-TFET和纵向SiGe-TFET在VD=±1 V下的转移特性的比较。可以看出，无论是N型还是P型TFET，纵向SiGe-TFET的隧穿电流明显大于另外两种结构的隧穿电流。右图显示了SiGe-TEFT在外延区Ge组分不同的情况下，N型TFET与P型TFET转移特性。通过在外延区中使用SiGe材料，器件开启电压VOFF将随Ge组分的增加而减小，导通电流与反向泄漏电流都将随着Ge含量的增加而增加。