《表3 BL-SGT与已有SGT器件性能对比》

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《一种具有Buffer层的分离栅VDMOS研究》

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表3比较了BL-SGT VDMOS与已有SGT VDMOS的功率优值，从表中可以看出，BL-SGT VDMOS的功率优值达到了504 k W·mm-2，较已有器件有了明显的提升，增幅均高于30%，这表明引入根据式（4）设计的Buffer层能够显著增强器件性能。