《表1 Si C材料与Si、Ga As材料性能参数对比》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《碳化硅单晶衬底精密加工技术研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

Si C是IV-IV族二元化合物半导体，也是元素周期表中IV族元素中唯一的一种固态化合物。Si C具有250多种同素异构类型，其中最为重要的两种为β-Si C和α-Si C。β-Si C，即3C-Si C，为立方密堆积的闪锌矿结构，α-Si C为六角密堆积的纤维锌矿结构，包括6H、4H、15R等。表1为其几种半导体材料性能参数。