《表1 管芯实测数据:VDMOS栅源漏电的经验解析》
Igss问题,在电参数测试时,呈现两种特征:一种是Igss偏大,其他参数正常,这属于是GS间漏电,例如表1中BIN3。另一种是Igss偏大,同时BVdss、Idss、Vth均异常,如表1中BIN2,这是由于Si缺陷或GOX质量不良引起。
图表编号 | XD00146136100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.03.20 |
作者 | 方绍明、赵美英、闻正锋 |
绘制单位 | 深圳市明微电子股份有限公司、深圳方正微电子有限公司、华为技术有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |