《表1 常见SiC欧姆接触金属的功函数和电阻率[8]》
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《功率器件用n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触工艺》
一个理想的金属-SiC欧姆接触需要其所建立的Schottky势垒尽可能的低。图1是金属-4H-SiC接触前的能带示意图,图中EC和EV分别是SiC的导带底和价带顶能级,EFn和EFp分别是SiC的电子和空穴费米能级,分别是SiC的EFn与EC之差和EFp与EV之差。由于4H-SiC的电子亲和能约为3.8 eV,室温下的禁带宽度是3.26 eV[5],因此按照Schottky-Mott极限模型,理想的n型4H-SiC欧姆接触金属功函数应低于4 eV,p型欧姆接触金属功函数应高于7 eV。而常用的金属-半导体接触用金属功函数为4.2~6 eV,如表1[8]所示。因此,4H-SiC,特别是p型4H-SiC形成欧姆接触是非常困难的,需要通过重掺杂和高温退火,以降低Schottky势垒的高度和势垒区厚度。
图表编号 | XD00145029200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.07.15 |
作者 | 夏经华、桑玲、杨香、郑柳、查祎英、田亮、田丽欣、张文婷、杨霏、吴军民 |
绘制单位 | 先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司、先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司、中国科学院半导体研究所、中国科学院微电子研究所、先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司、先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司、先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司、先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司、先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司、先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司 |
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